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化学气相沉积系统用哪个牌子的比较好

作者:科佳电炉 来源:原创 发表时间:2018-12-25 10:37

一、定义:
化学气相沉积法(chemical vapor deposition)是反应物质在气态条件下发生化学反应,生成固态物质沉积在加热的固态基体表面,进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的气态传质过程。 简单地说,CVD是让某种需要的材料的气体在高温下面分解,然后让生成的颗粒均匀的落在我们用来改造的东西上(基底),并且可以按需要长成固定的形状大小(比如管状,片状,等等)

二、发展历史:
CVD最早可以追溯到原始年代。古代人在洞穴中焚烧木材,会在洞穴的墙壁上面留下一层黑色的碳灰,这也可以认为是一种沉积过程。现代科学和技术需要使用大量功能各异的无机新材料,这些功能材料必须是高纯的,或者是在高纯材料中有意地掺人某种杂质形成的掺杂材料。但是,我们过去所熟悉的许多制备方法如高温熔炼、水溶液中沉淀和结晶等往往难以满足这些要求,也难以保证得到高纯度的产品。因此,无机新材料的合成就成为现代材料科学中的主要课题。 化学气相淀积是近几十年发展起来的制备无机材料的新技术。化学气相淀积法已经广泛用于提纯物质、研制新晶体、淀积各种单晶、多晶或玻璃态天机薄膜材料。


三、原理简介


化学气相沉积系统用哪个牌子的比较好 首先是气体进入反应器(①) 然后是气体被吸附到材料表面(②) 然后气体在材料表面发生化学反应,分解,成核,等等(③) 然后随着反应的进行,沉积下来的材料会越来越多,并且按特定方向排列,我们称之为生长(④) 最后是反应生成的副产物,废气等排出反应器(⑤) 用来进行沉积的反应可以很多,主要有四大类: 热分解反应 SiH4(g) →Si(s)+2H2(g) 氧化还原反应 SiH4(g) +O2(g)→SiO2(s)+2H2(g) 化学合成反应 TiCl4 (g) +CH4 (g) →TiC (s) +4HCl (g) 歧化反应 2GeI2(g) →Ge(s) + GeI4(g)













CVD根据原理,
条件的不同,可以分为以下几种: 低压CVD(LPCVD) 常压CVD(APCVD) 亚常压CVD(SACVD) 超高真空CVD(UHCVD) 等离子体增强CVD(PECVD) 高密度等离子体CVD(HDPCVD) 快热CVD(RTCVD) 金属有机物CVD(MOCVD)

郑州科佳生产炉子十年有余,cvd系统和pecvd设备是我们主要生产和研究的实验设备,设备元宵国外三十多个国家,受到一致的好评。
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