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1200度CVD管式炉
1200度CVD管式炉
型号:KJ-1200T-S6012LK1-3F5S
用途:也可用于真空烧结、真空气氛保护烧结、纳米材料制备、电池材料制备等多研究领域。
规格:根据客户要求定制
特点:升温速度快,使用节能
混气管式PECVD系统
混气管式PECVD系统
型号: KJ-T1200-S6015LK1-4Z5S
用途:各种薄膜的生长,如:SiOx, SiNx, SiOxNy 和无定型硅(a-Si:H) 等。
规格:根据用户需求定制
特点:采用双层壳体结构和30段程序控温仪表,过零触发、可控硅控制
1200℃高温真空CVD设备
1200℃高温真空CVD设备
型号:KJ-T1200-S6012LK1-3FH5S
用途:真空烧结、真空气氛保护烧结、纳米材料制备、电池材料制备等多研究领
规格:根据客户需求定制
特点:快速升降温,可混合4路气体
四路高温真空CVD设备
四路高温真空CVD设备
型号:KJ-T1200-S60K-4C
用途:KJ-T1200-S60K-4C型四路高温真空CVD设备是一种特殊的高真空CVD系统,是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品。
规格:1200°C,200*350*200mm
特点:供气系统是流量调节可以是质子流量计,可以对多种气体进行精确的混气,然后导入到管式炉内部。
1200℃石墨烯生长炉
1200℃石墨烯生长炉
型号:KJ-1200T-S6012LK1-4Z5S
用途:适用于石墨、烯碳纳米管、碳纳米线的生长
规格:加热区长度:440mm
特点:系统的沉积温度相对较低,快速升降温
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