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影响CVD沉积薄膜质量的因素

作者:科佳电炉 来源:原创 发表时间:2021-06-15 10:28:24

    CVD技术中沉积温度,进入反应室混合气体的总流量及总压力,混合气体中各气相成分的分压力和它们之间的相对比例,沉积时间,基片的性质、形状和在反应室中的位置等都是影响CVD沉积膜的质量因素,而这些因素之间既互有联系、又互相影响。8AB高温箱式电阻炉,管式炉,真空退火炉,真空烧结炉,管式高温炉-郑州科佳电炉有限公司
下面简单介绍一下沉积温度对膜质量的影响:8AB高温箱式电阻炉,管式炉,真空退火炉,真空烧结炉,管式高温炉-郑州科佳电炉有限公司
    不同的沉积温度不但使膜的沉积速率不同,而且在不同温度下同一反应体系,沉积薄膜可以是单晶、多晶或非晶,甚至很难发生沉积。例如,以H2为携带气体,以SH4和HCL为1:1的混合气体为反应气体,在硅单晶基片上外延时沉积温度、生长速率和沉积层结构的关系,因沉积温度愈低,反应生成的Si原子在基片表面的扩散和迁移愈困难,它们来不及排列到正常格点上,从而会造成大量的缺陷。或者说,温度愈高,能够使得在外延层中不产生缺陷,生长速率也愈高,沉积速率愈高,薄膜的结晶排列也逐步由杂乱转变为整齐规则。8AB高温箱式电阻炉,管式炉,真空退火炉,真空烧结炉,管式高温炉-郑州科佳电炉有限公司
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