CVD 化学气相沉积系统

设备介绍

CVD 成长系统是利用气态化合物或化合物的混合物在基体受热面上发生化学反应，从而在基体表面上生成不挥发涂层的一种薄膜材料制备系统，它由真空管式炉，多通道气路系统和真空系统组成。CVD真空系统可选配分子泵系统或旋片泵系统，最高真空度可达 10*-5pa， 多路气源混合系统可选配浮子流量计或质子流量计，量程范围大，控制精度高； 本系列化学气相沉积系统另有多种功能接受客户要求定制。该cvd设备适用于 CVD 工艺，如碳化硅镀膜、陶瓷基 片导电率测试、ZnO 纳米结构的可控生长、陶瓷电容 (MLCC) 气氛烧结等实验。rjM高温箱式电阻炉,管式炉,真空退火炉,真空烧结炉,管式高温炉-郑州科佳电炉有限公司
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技术参数

化学气相沉积所用的反应体系必须满足以下三个条件：

1、在沉积温度下，反应物必须有足够高的蒸汽压。假如反应物在室温下全部为气态，沉积装置就比较简单;假如反应物在室温下挥发性很小，就需要对其加热，使其挥发，而且一般还要用运载气体把它带入反应室，这样反应源到反应室的管道也需要加热，以防止反应气体在管道中冷凝下来。

2、反应的生成物，除了所需要的沉积物为固态薄膜外，其余都必须是气态。

3、沉积薄膜的蒸汽压应足够低，以保证在整个沉积反应过程中，沉积的薄膜能维持在具有一定温度的基体上。基体材料在沉积温度下的蒸汽压也必须足够低。

化学气相沉积的原理：

化学气相沉积技术是应用气态物质在固体上产生化学反应和传输反应等并产生固态沉积物的一种工艺，它大致包含三步：

(1)形成挥发性物质 　　

(2)把上述物质转移至沉积区域；　

(3)在固体上产生化学反应并产生固态物质。

基本的化学气相沉积反应包括热分解反应、化学合成反应以及化学传输反应等集中。